Intel, Z-Angle Memory (ZAM) adını verdiği yeni bellek teknolojisinin prototipini ilk kez kamuoyuna tanıttı. Intel Connection Japan 2026 etkinliğinde paylaşılan detaylara göre şirket, mevcut HBM çözümlerinin performans ve ısıl sınırlamalarına alternatif geliştirmeyi hedefliyor.
Intel’in birkaç yıldır DRAM pazarından uzak olmasına rağmen, SoftBank iştiraki Saimemory ile yürüttüğü iş birliği sayesinde yeni bir bellek yaklaşımı üzerinde çalıştığı biliniyor. Z-Angle Memory’nin en dikkat çekici özelliği, klasik dikey bağlantılar yerine yığın içindeki bağlantıları çapraz açıyla yönlendiren özel bir interconnect topolojisi kullanması. Bu mimari sayesinde ısı dağılımının daha verimli hale getirileceği ve performans darboğazlarının azaltılacağı belirtiliyor.
Etkinlikte Intel Government Technologies CTO’su Joshua Fryman ile Intel Japonya CEO’su Makoto Onho da yer aldı. Şimdiye kadar yalnızca teknik makaleler ve basın bültenlerinde görülen ZAM teknolojisi, ilk kez fiziksel prototip düzeyinde sergilenmiş oldu.
Intel’in projedeki rolü henüz tam olarak netleşmiş değil. Ancak etkinlikte paylaşılan bilgilere göre şirket, başlangıç yatırımı ve stratejik yönlendirme tarafında aktif rol üstleniyor. İlk teknik değerlendirmelere göre ZAM teknolojisi şu avantajları sunabilir:
-
Yüzde 40-50 daha düşük güç tüketimi
-
Z-açılı bağlantılar sayesinde daha basit üretim süreci
-
Çip başına 512 GB’a kadar kapasite potansiyeli
HBM pazarında ciddi rekabetin yaşandığı bir dönemde Intel’in yeniden bellek tarafında pozisyon alması dikkat çekiyor. Z-Angle Memory projesinin olgunlaşması halinde, özellikle yapay zekâ ve yüksek performanslı hesaplama alanlarında önemli bir alternatif oluşturabileceği değerlendiriliyor.